.当设计成功下载到FPGA器件后,NK,NK,IDTVS有Kbits的容量,IDTVS有Kbits的容量,F作频率非常高,F作频率非常高,FLASH上的程序运行与片内ROM、RAM和片外扩展SRAM的下载有所不同,EPC试验板上有两片IDTVS,EPC试验板上有两片IDTVS,AMDLVB有M字节的容量,AMDLVB有M字节的容量,

《基于FPGA的嵌入式系统的设计.doc》由会员分享。.当设计成功下载到FPGA器件后,Progress区显示下载数据的百分比。.当设计成功下载到FPGA器件时,Progress区显示下载数据的百分比。在编程窗口中打开ProgarmmingConfig(编程配置)选项,SRAM模块的地址总线和Avalone总线的地址总线互连的时候需要考虑地址对齐的问题:SRAM模块的A到A应该对用到Avalone总线上的A到A,SRAM模块的地址总线和Avalone总线的地址总线互连的时候需要考虑地址对齐的问题:SRAM模块的A到A应该对用到Avalone总线上的A到A,Progress区显示下载数据的百分比。单击Start按钮将配置数据下载到FPGA,sof显示在编程窗口。在编程窗口中打开ProgarmmingConfig(编程配置)选项。单击Start按钮将配置数据下载到FPGA,sof显示在编程窗口。在编程窗口中打开ProgarmmingConfig(编程配置)选项。底板选择高速的DA转换器DAC,三个月的辛苦没有白费,sof显示在编程窗口。底板选择高速的DA转换器DAC,不会产生失真。图添加CPU模块添加片内ROM(选择GERMSmonitor):图添加片内ROM添加片内RAM模块(Contents选择Blank):图添加片内RAM添加UART(通信异步串行接口)模块:图添加串口添加LEDPIO模块:图添加LEDPIO模块确定地址分配和中断分配都没有错误:图地址分配和中断分配VectorTable、ProgramMemory、DataMemory都放在RAM中:图CPU设置.CPU编译完成后退出SOPCBuilder,且其字长为;Nios软核总线宽度为位或位;CycloneEPCQC的片上存储器容量为KByte;本开发板上的晶振为MHz,不会产生失真。FLASH上有几个操控引脚通过上拉电阻拉高(硬件已连结好)主要是为了避免FPGA配置过程,且其字长为;Nios软核总线宽度为位或位;CycloneE。FLASH上有几个操控引脚通过上拉电阻拉高(硬件已连结好)主要是为了避免FPGA配置过程,为了便于CPU读写EPC,Nios开发板上选择的FLASH是一种典型的NORFLASH。使用两片IDTVS组合成位的SRAM模块,位数据宽度,位数据宽度,但由于时间原因我没有利用此开发板完成复杂的大规模的应用实例的设计,但是在软件功能方面还比较欠缺,从波形存储ROM中读取数据,从波形存储ROM中读取数据,为了便于CPU读写EPC,Nios开发板上选择的FLASH是一种典型的NORFLASH。使用两片IDTVS组合成位的SRAM模块,位数据宽度。.嵌入式开发板工作稳定可靠,例如:cdc:alteramyworknioscu_sdksrc,例如:cdc:alteramyworknioscu_sdksrc,例如Nios软核环境下的编程工作等,位数据宽度。.嵌入式开发板工作稳定可靠,供高速DA使用。(注意,供高速DA使用。)、片内ROM(带GERMS)、调试串口、ledio。

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8、这里没有使用IDTV的IP核,依次添加CPU(添加CPU时在其Hareware属性对话框中将PielineOtimization属性修改为FewerStallsMoreLes。首先,其容量对波形采样来讲几乎为无限大,其容量对波形采样来讲几乎为无限大,依次添加CPU(添加CPU时在其Hareware属性对话框中将PielineOtim。单击AddFile(添加文件)按钮,单击Oen按钮,单击Oen按钮,单击Oen按钮,单击Close(关闭)按钮,加深了我对数字电路的理解,功能强大,到然后连接到合适的位置,到然后连接到合适的位置,利用片外扩展FLASH存储,利用片外扩展FLASH存储,利用它可以非常容易的产生高速的ROM地址,利用它可以非常容易的产生高速的ROM地址,则:maxcNffKMHz相位步进综上所述,则:maxcNffKMHz相位步进综上所述,出现SelectProgrammingFile(选择编程文件)对话框,出现SelectProgrammingFile(选择编程文件)对话框,出现SelectProgrammingFile(选择编程文件)对话框,具体步骤如下。单击AddFile(添加文件)按钮,单击Save(保存)。确认地址和中断号没有冲突,单击Save(保存)。图FLASH内容选择位Blank最后修改新添加的FLASH的名称为ext_flash。图添加FLASH模块在Simulation栏中FLASH内容选择为Blank。选择bitMbytesNiosdefault。若要增加相位步进量,回到Quartus中,回到Quartus中,启动Niossdkshell,启动Niossdkshell,启动Niossdkshell,启动Niossdkshell,启动Niossdkshell,可在线阅读全文,可取N=,D=,cf=MHz,可取N=,D=,cf=MHz,可以增加采样点,可以增加采样点,只不过我们在片内ROM(即boot)中不选择Build,双击IDTV,双击IDTV,双击AvaloneTriStateBridge,双击AvaloneTriStateBridge,双击AMDLVFLASHforEPKENiosDevelomentBroad。若要增加相位步进量,因此保证输出波形数据稳定正确。首先,因此此嵌入式系统的强大功能并没有完全体现出来,因此可以保证输出波形质量,因此可以保证输出波形质量,因此保证输出波形数据稳定正确。首先,在Niossdkshell中连编和运行ledc测试程序。然后,在Niossdkshell提示符“[SOPCBuilder]$”后输入cd命令进入存放ledc文件的子目录,在Niossdkshell提示符“[SOPCBuilder]$”后输入cd命令进入存放ledc文件的子目录,在Niossdkshell中连编和运行ledc测试程序的步骤为如下在Niossdkshell提示符“[SOPCBuilder]$”后输入cd命令进入存放ledc文件的子目录,在Niossdkshell中连编和运行ledc测试程序的步骤为如下在Niossdkshell提示符“[SOPCBuilder]$”后输入cd命令进入存放ledc文件的子目录,在Niossdkshell中连编和运行ledc测试程序。最后,在Niossdkshell提示符“[SOPCBuilder]$”后输入cd命令进入存放ledc文件的子目录。Niosrun实用程序通过串行端口传送可执行程序代码,在Niossdkshell提示符下输入下列命令将srec转换成flash文件:srecflashledsrec。Niosrun实用程序通过串行端口传送可执行程序代码,在Niossdkshell提示符后输入下列命令下载并运行ledsrec程序:niosrunledsrec或者nrledsrec。其次,在Niossdkshell提示符后输入下列命令连编ledc文件:niosbuildledc或者nbledc,在Niossdkshell提示符后输入下列命令连编ledc文件:niosbuildledc或者nbledc,在Niossdkshell提示符后输入下列命令下载并运行ledsrec程序:niosrunledsrec或者nrledsrec。Niosrun实用程序通过串行端口传送可执行程序代码,在Niossdkshell提示符后输入下列命令连编ledc文件:niosbuildledc或者nbledc。在Niossdkshell提示符后输入下列命令下载并运行ledsrec程序:niosrunledsrec或者nrledsrec。在Niossdkshell提示符后输入下列命令连编ledc文件:niosbuildledc或者nbledc。Niosrun实用程序通过串行端口传送可执行程序代码,在Niossdkshell窗口必须使用“”代替“\”作为目录分割符。在Niossdkshell提示符后输入下列命令下载并运行ledsrec程序:niosrunledsrec或者nrledsrec。在Niossdkshell提示符后输入下列命令连编ledc文件:niosbuildledc或者nbledc。添加CPU模块:图添加CPU模块添加片内ROM(选择GERMSmonitor):图添加片内ROM添加片内RAM模块(Contents选择Blank):图添加片内RAM添加UART(通信异步串行接口)模块:图添加串口添加LEDPIO模块:图添加LEDPIO模块确定地址分配和中断分配都没有错误:图地址分配和中断分配VectorTable、ProgramMemory、DataMemory都放在RAM中:图CPU设置.CPU编译完成后退出SOPCBuilder,在Niossdkshell窗口必须使用“”代替“\”作为目录分割符。各个模块如下图所示。.当设计成功下载到FPGA器件后,在SelectProgrammingFile(选择编程文件)对话框中选择自己的sof文件,在Savetye(保存类型)列表中确认选择ChainDescritionFile(链描述文件),在Savetye(保存类型)列表中确认选择ChainDescritionFile(链描述文件),在Saveas(另存为)对话框的Filename(文件名)后输入要保存的名字,在Saveas(另存为)对话框的Filename(文件名)后输入要保存的名字,在RAM中选择Blank。编译项目后将目标文件下载到试验板上(具体步骤参见)。

3、flash连接flash_oe_n到tri_state_idge__readn连接byteenable[]到tri_state_idge__byteenable[]修改ext_bus_address[]为ext_bus_address[]图原理图连接连接完成以后进行编译。.按照节的内容新建一个包含扩展SRAM的NiosCPU的项目,在SelectProgrammingFile(选择编程文件)对话框中选择自己的。FLASH的调试步骤如下。

11、lone总线的地址总线互连的时候需要考虑地址对齐的问题:FLASH模块的A到A应该对用到Avalone总线上的A到A。.单击Tools(工具)菜单选择Programmer(编程),在原理图上任意地方双击鼠标左键,在原理图上任意地方双击鼠标左键,在SelectProgrammingFile(选择编程文件)对话框中选择自己的。图原理图连接最后保存并且编译。.单击Tools(工具)菜单选择Programmer(编程),如下图所示。图原理图连接最后保存并且编译。图打开ProgarmmingConfig(编程配置)单击Start按钮将配置数据下载到FPGA,如下图所示。单击File(文件)菜单选择Saveas(另存为),如下图所示。图编程窗口在编程窗口的Mode(方法)列表中选择JTAG。单击File(文件)菜单选择Saveas(另存为),如下图所示。图编程窗口在编程窗口的Mode(方法)列表中选择JTAG。图DDS系统模型利用ZLGA操控的键盘读入输入频率值,如下图所示。图DDS系统模型利用ZLGA操控的键盘读入输入频率值,如图所示。和SRAM的扩展类似,实用性强,如果我们观察到板上的发光二极管每组四个交替闪亮,如果可以观察到开发板上此时个发光二极管分为两组,如果可以观察到开发板上此时个发光二极管分为两组,如果可以观察到开发板上此时个发光二极管分为两组,如果可以观察到开发板上此时个中读取数据,如图所示。和SRAM的扩展类似,对FLASH芯片进行错误的写操作。首先放置IO口,将CPU的符号图更新,对FLASH芯片进行错误的写操作。首先放置IO口,将cu放在原理图中适当的位置。

6、CQC的片上存储器容量为KByte;本开发板上的晶振为MHz,展开Project,将生成的CPU放在合适的地方,将生成的CPU放在合适的地方,将cu放在原理图中适当的位置。改进意见本论文已经完成了硬件的开发,展开。具体调试步骤如下:.利用SOPCBuilder创建一最小系统并且进行编译,工程上普通采取最低每周期采样点,工程上普通采取最低每周期采样点,工作稳定正常。

,并且下载到FPGA中。扩展SRAM调试扩展SRAM调试过程基本上与片内ROM、RAM相似,并且利用其完。

7、监控可用而且操控正常。系统调试的实验结果表明,并且利用其完。此次毕设提高了我对QuartusⅡ和rotelse使用的熟练程度,我们在boot中选择GERMSmonitor(GERMS监控),引脚锁定如下:时钟输入clk_inut锁定在PIN_复位reset_ninut锁定在PIN_串口(rxd)rxdinut锁定在PIN_串口(txd)txdoutut锁定在PIN_Ledioled[]outut锁定在PIN_到PIN_,引脚锁定如下:时钟输入clk_inut锁定在PIN_复位reset_ninut锁定在PIN_串口(rxd)rxdinut锁定在PIN_串口(txd)txdoutut锁定在PIN_Ledioled[]outut锁定在PIN_到PIN_,引脚信号处于弱高的过程中,引脚信号处于弱高的过程中,并且完成了系统设计和调试工作。系统采用以下模型实现,所以下载到开发板上的程序会立即开始工作,我通过反复的调试修改,我设计的开发板最终可以稳定可靠的工作。系统采用以下模型实现,所以选取波形间隔存储方法。.按照试节的方法,打开CPU属性窗口,打开CPU属性窗口,所以选取波形间隔存储方法。.按照试节的方法,扩展SRAM调试步骤如下。系统设计与实现参数选取在本开发板上,提出了系统设计方案,扩展SRAM调试步骤如下。系统设计与实现参数选取在本开发板上,提高输出信号频率。双击CPU打开SOPCBuilder,提高输出信号频率。图添加SRAM模块锁定ROM的基地址到x,文件后缀为bdf,文件后缀为bdf,整个系统的设计正确合理,放在新建文件夹中。图添加SRAM模块锁定ROM的基地址到x,是因为SOPCBuilder提供的IDTV的IP核还需要略做修改才在开发板上使用)。

1、of文件,是因为SOPCBuilder提供的IDTV的IP核还需要略做修改才在开发板上使用)。of文件,更多相关《基于FPGA的嵌入式系统的设计(最终版)》请在上搜索。。然后更名为sram_kB。(这里没有使用IDTV的IP核,更改MemorySize为K。然后更名为sram_kB。系统实现下图是在QuartusⅡ中最终实现的DDS的原理图:图DDS原理图第章总结主要工作总结本毕设完成了Nios嵌入式系统开发板的设计制作,最后终于在第三版时解决了开发板上存在的所有问题,最后,最后,更重要的是,更改MemorySize为K。系统实现下图是在QuartusⅡ中最终实现的DDS的原理图:图DDS原理图第章总结主要工作总结本毕设完成了Nios嵌入式系统开发板的设计制作,最后经过滤波电路滤波后输出。然而,此时,此时,本Nios嵌入式系统开发板的基本调试工作已经完毕,最后经过滤波电路滤波后输出。最大频率maxcffMHz。然而,此时K=。最大频率maxcffMHz。结论论文根据嵌入式系统设计的具体任务,此时每周期只采样点,此时每周期只采样点,此时K=。系统设计本设计要实现多种波形输出和相位操控,此次毕设还使自己在系统设计和硬件电路设计方面有了很大的进步。系统设计本设计要实现多种波形输出和相位操控,步进。所以有:频率步进mincNfffHz,每个波形存储器存储个位采样点;频率操控字K,每个波形存储器存储个位采样点;频率操控字K,步进。所以有:频率步进mincNfffHz,每种波形存储个点。图添加Avalon总线模块添加SRAM:在SOPCBuilder右边的资源窗口中展开Memory,每组个交替闪亮,每组个交替闪亮,每组个交替闪亮,每组个交替闪亮,每种波形存储个点。然后更名为Bridge。图添加Avalon总线模块添加SRAM:在SOPCBuilder右边的资源窗口中展开Memory,点击Finish。然后更名为Bridge。.CPU生成完成后回到QuartusⅡ,点击Finish。然后点击Generate生成CPU。展开SOPCBuilder左边的资源窗口中的Memory,然后,然后,点击OK,点击OK,点击NEXT确认硬件设置。

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5、监控的调试基本上与节的片内ROM、RAM调试相同,然后在我们已经下载到FPGA里的系统模块上运行ledc,然后在我们已经下载到FPGA里的系统模块上运行ledc,然后在已经下载到FPGA里的Nios软核上运行ledc,然后在已经下载到FPGA里的Nios软核上运行ledc,然后在CPU中添加FLASH接口。

9、eSetu(硬件设置)对话框Availablehardwareitems(可用硬件项)下双击ByteBlasterⅡ选择硬件,然后开始连接相关的IO:连接clk到clk连接reset到reset_n连接rxd到rxd_to_the_debug连接led[]到out_ort_from_the_ledio[]连接txd到txd_from_the_debug连接sram_we_n到write_n_to_the_sram_kb连接sram_cs_n到select_n_to_the_sram_kb连接sram_oe_n到read_n_to_the_s。更改CPU属性:点击Next,然后经软件部分运算处理,然后经软件部分运算处理,然后开始连接相关的IO:连接clk到clk连接reset到reset_n连接rxd到rxd_to_the_debug连接led[]到out_ort_from_the_ledio[]连接txd到txd_from_the_debug连接sram_we_n到write_n_to_the_sram_kb连接sram_cs_n到select_n_to_the_sram_kb连接sram_oe_n到read_n_to_the_s。更改CPU属性:点击Next,然后自动分配中断向量和基地址。.当设计成功下载到FPGA器件后,然后自动分配中断向量和基地址。

12、am_kb连接ext_bus_data[]到tri_state_idge__data[]连接sram_be_n[]到be_n_to_the_sram_kb修改ext_bus_address[]为ext_bus_address[]连接ext_bus_address[]到tri_state_idge__address[]图原理图连接编译项目后将目标文件下载到试验板上(具体步骤参见)。最后点击Generate,直接连接到FPGA上,直接连接到FPGA上,由于我们选择了在boot中连编ledc文件(该文件的功能是使个发光二极管交替闪亮),理论上最大输出频率MHz;相位操控字P,理论上最大输出频率MHz;相位操控字P,特别是对FPGA、嵌入式系统等处在科技发展前沿知识的理解,然后通过Niossdkshell软件对文件进行编译,然后调整相关的IO连接:连接txd到txd_from_the_debug连接flash_rw_n到write_n_to_the_ext_flash连接flash_cs_n到select_n_to_the_ext 。把AlteraPlugsTCPIPNetworkingLiary前边的对号勾调。修改AuxiliarySerialPort的Module属性为(none)。最后点击Generate,确认中断向量表、程序存储器和数据存储器到sram_kb中。把AlteraPlugsTCPIPNetworkingLiary前边的对号勾调。修改AuxiliarySerialPort的Module属性为(none)。.编译完成后回到Quartus,确认中断向量表、程序存储器和数据存储器到sram_kb中。.编译完成后回到Quartus,等待SOPCBuilder生成CPU的代码。在三个多月的毕设时间里,等待SOPCBuilder生成CPU的代码。

4、了简单的DDS信号发生器。如果此时我们观察到开。单击AddFile(添加文件)按钮,编程窗口打开空白链接描述文件(cdf),编程窗口打开空白链接描述文件(cdf),累加器和ROM都占用片上资源,累加器和ROM都占用片上资源,系统模块包括CPU模块、boot(即片上ROM)、片上RAM、RS串口、LEDPIO口,系统启动后led被复制到SRAM并被执行。下载完成后单击Nios开发板上的Reset按钮复位系统,而是选择GERMSmonitor,而且工作稳定正常,而且它还可以提供高速时钟,而且它还可以提供高速时钟,编程窗口的ProgrammingHardware(编程硬件)下Tye(类型)后显示ByteBlasterⅡ[LPT]。

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10、roject,输入下列命令下载Flash文件:nrledflash。(注意,迅速的从波形存储ROM中读取数据,迅速的从波形存储ROM。)、片内ROM(带GERMS)、调试串口、ledio。ization属性修改为FewerStallsMoreLes。LASH模块的地址总线和Ava。对Nios软核环境编程工作的继续和将本开发板应用到更大更复杂规模的实例中是本开发板改进的主要方面。于是,选择cu,选择cu,这里不需要添加片内RAM了)添加Avalone总线操控器:在SOPCBuilder左边的资源窗口中展开Bridges,这里不需要添加片内RAM了)添加Avalone总线操控器:在SOPCBuilder左边的资源窗口中展开Bridges,这些离散数据经高速DADAC转换成模拟信号,这些离散数据经高速DADAC转换成模拟信号,这不得不说是个遗憾。于是,通过CycloneEPCQC内部的PLL我们可得到MHz的时钟信号。

2、发光二极管分为两组,通过CycloneEPCQC内部的PLL我们可得到MHz的时钟信号。扩展SRAM调试扩展SRAM调试过程基本上与片内ROM、RAM相似,那么GERMS。.当设计成功下载到FPGA器件后,那么GERMS监控可用而且操控正常。am_kb连接ext_bus_data[]到tri_state_idge__data[]连接sram_be_n[]到be_n_to_the_sram_kb修改ext_bus_address[]为ext_bus_address[]连接ext_bus_address[]到tri_state_idge__address[]图原理图连接编译项目后将目标文件下载到试验板上(具体步骤参见)。GERMS监控调试GERMS。扩展FLASH调试EPC试验板上有一片AMDLVB,那么我们的片上资源即可用而且FPGA工作正常。扩展FLASH调试EPC试验板上有一片AMDLVB,那么扩展SRAM可用而且工作正常。为了保持输出精度,配合嵌入式开发板,配合嵌入式开发板,那么扩展SRAM可用而且工作正常。为了保持输出精度,难以保证输出精度。高速DA转换器DAC的数据转换速率在V供电时可高达Mss,高速DA转换器DAC的数据转换速率在V供电时可高达Mss,频率步进(最小输出频率)Hz,频率步进(最小输出频率)Hz,难以保证输出精度

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